Спустя месяц после начала производства микросхем DDR3-памяти объемом 4 Гбит, изготавливаемых с использованием 40-нм техпроцесса, компания Samsung объявила о предстоящем выпуске первых в мире модулей емкостью 32 Гб, созданных на базе этих чипов.

Напомним, что всего год назад Samsung анонсировала выпуск модулей памяти RDIMM (registered dual inline memory modules) стандарта DDR3 емкостью 16 Гб на базе чипов объемом 2 Гб, производимых с помощью 50-нм процесса.

Сейчас компания занимается рассылкой промышленных образцов, с тем, чтобы в следующем месяце начать массовое производство модулей DDR3 DRAM емкостью 32 Гб.

Новые модули предназначены для использования в серверных системах. Они спроектированы на базе более экономичных микросхем плотностью 4 Гб. Один модуль RDIMM емкостью 32 Гб состоит из 36 двухсторонних DDR3 чипов 40-нм класса объемом 4 Гб.

При замене в двухпроцессорной системе прежних 16 Гб модулей на новые DDR3 DRAM 32 Гб модули, объем памяти сервера удвоится и достигнет 384 Гб. При этом рост потребления энергии составит менее 5%. Благодаря новым модулям объем памяти четырехпроцессорных серверных систем возрастет до 2 Тб.